삼성전자, 속도 2배·전력소비 20% 줄인 최첨단 D램 선보여

삼성전자는 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

D램 시장에서 압도적인 1위를 차지하고 있는 삼성전자는 업계에서 가장 높은 웨이퍼 집적도를 구현한 차세대 D램으로 다시 한 번 메모리반도체 초격차(경쟁업체가 추격할 수 없는 기술 격차)에 나섰다.
삼성전자가 이번에 양산에 들어간 공정은 14나노에 5개 레이어에 EUV를 적용했다. EUV를 적용하면 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있어 성능과 수율을 끌어올리는 데 도움이 된다. 수율은 전체 생산품 가운데 문제가 없는 양품의 비율을 뜻한다.

5개 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고 웨이퍼 집적도로 이전 세대와 비교해 생산성이 약 20% 향상됐고 소비전력은 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 인공지능(AI), 머신 러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 계속 커지고 있다.

또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이에 앞서 마이크론은 이달 초 실적 발표 때 4세대 D램(10나노급 1a D램)과 176단 낸드플래시가 연내 주력상품이 될 것이라고 밝히며 자신감을 드러낸 바 있다.

이에 질세라 SK하이닉스도 7월 EUV를 적용한 1a D램 양산에 돌입했다. 구체적인 숫자를 표시하지는 않았지만 업계에서는 SK하이닉스와 마이크론 모두 14나노급 D램으로 보고 있다. 마이크론은 EUV를 적용하지 않았고 SK하이닉스는 1개 레이어에만 EUV를 적용했다.
삼성전자는 14나노 EUV DDR5 D램 양산 시기는 다소 늦었지만 기술 격차를 벌여 향후 D램 경쟁에서 우위를 점할 수 있게 됐다. 특히 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 갖춰 DDR5 D램 대중화를 선도할 방침이다.

시장 조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 삼성전자의 D램 점유율은 43.2%로 톱3 업체 중 유일하게 1분기 대비 점유율이 늘어났다. 삼성전자는 1분기 대비 2.0%, 전년 동기 대비 1.1% 점유율이 올랐다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "삼성전자는 지난 30년 간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세 공정 한계를 극복해 왔다"며 "이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다"고 설명했다.

이 개발실장은 또 "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5세대 이동통신(5G)·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고 메모리 솔루션을 공급하겠다"고 밝혔다.


한현주 글로벌이코노믹 기자 kamsa0912@g-enews.com