업계 최고 수준 용량, 데이터 전송 속도, 전력 효율 확보

SK하이닉스가 이번에 개발한 '3세대 10나노급(1z)DDR4 D램'은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량이 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상되고 초고가 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다는 게 회사 측 설명이다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 정전용량은 전하를 저장할 수 있는 능력으로 D램 정전용량이 늘어나면 데이터 유지 시간과 정합도가 상승한다.
이정훈 D램개발사업 1z TF장(담당)은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능/고용량 D램을 찾는 고객 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
오만학 글로벌이코노믹 기자 mh38@g-enews.com