20일 삼선전자는 평택캠퍼스 내·외부 전경을 영상으로 공개했다. 평택캠퍼스의 부지면적은 289만㎡(87만5000평)으로 여의도 면적(약 290만㎡)에 버금갈 정도다.
이곳에서 생산되는 제품은 차세대 메모리로 불리는 D램과 낸드플래시메모리를 비롯해 초미세 파운드리 제품까지 다양하다. 2017년 가동을 시작한 P1에서 메모리 제품을 생산 중이며 2020년 가동에 나선 P2에서는 메모리와 파운드리 제품(반도체 위탁생산 제품)을 만들고 있다.
바이든 대통령은 현재 공사가 진행 중인 P3를 발문할 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 이날 하루 P3 공사를 중단했다.
바이든 대통령 일행 중에는 크리스티아누 아몬 퀄컴 CEO가 동행하는 것으로 알려졌다. 업계에서는 이를 근거로 삼성전자가 3nm(나노미터) 공정의 차세대 반도체를 선보일 것이란 관측도 있다.
한편 바이든 대통령의 의전은 이재용 부회장이 맡을 예정이다. 또한 한종희 삼성전자 DX(디바이스결험) 사업부문장과 경계현 DS(디바이스솔루션) 부문장, 노태문 XM사업부장 등 100여명의 부사장급 임원들이 평택캠퍼스에 집결해 바이든 대통령의 방문을 함께 할 예정이다.
서종열 글로벌이코노믹 기자 seojy78@g-enews.com