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삼성전자와 SK하이닉스도 칩스법에 따라 미국 정부가 주는 보조금을 받을 수 있다. 삼성전자는 173억 달러를 투자해 미국 텍사스주 테일러시에 파운드리 공장을 짓고 있고, 2024년 말 신규 팹(fab·반도체 생산공장)을 가동할 예정이다. SK하이닉스도 미국 내 첨단패키징 공장을 신설한다.
그러나 이 법에는 미국 정부로부터 세액 공제나 보조금을 지원받는 미국과 외국 기업은 향후 10년간 중국을 비롯한 우려 국가에 첨단 반도체 시설을 짓거나 추가로 투자하지 못하도록 한 ‘가드레일’ (guardrail, 방어망) 조항이 있다. 삼성전자는 중국 시안과 쑤저우에, SK하이닉스는 우시와 다롄 등에 공장을 두고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 보조금을 받으면 향후 10년간 중국에서 공장 신설·증설·장비 교체 등 추가 투자에 전면적인 제한을 받게 된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 라인 유지를 위한 필수 설비들을 예외로 인정하고, 이 법 시행에 앞서 유예기간을 충분히 보장해달라고 한국 정부를 통해 미국 측에 요청해왔다.
미 상무부는 21일(현지시간) 외국 반도체 업체의 중국에 대한 규제를 일부 완화하면서도 화웨이 등 중국 업체와의 공동 연구 개발을 금지했다. 미국 상무부는 이날 미국 반도체 법 지원금이 국가안보를 해치는 용도로 사용되지 않도록 설정한 가드레일 조항의 세부 규정안을 관보 등을 통해 공개했다.
미 상무부는 규정안에서 '실질적인 확장'을 양적인 생산능력 확대로 규정하고, '중대한 거래 규모'를 10만 달러(약 1억 3000만원)로 설정했다. 이 금액을 넘어서면 첨단 반도체의 경우 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 했고, 이전 세대의 범용(legacy) 반도체는 생산능력을 10% 이상 늘리지 못하게 했다. 미 상무부는 범용 반도체 기준으로 로직 반도체 28nm(나노미터·10억분의 1m), D램은 18나노미터, 낸드플래시는 128단으로 규정했다. 이는 지난해 10월에 상무부가 발표한 대중국 수출통제 조치와 비교해 로직 반도체(14nm)의 경우 기준이 크게 강화됐으나 한국 기업과 관련된 D램이나 낸드플래시에는 같은 기준이 적용됐다.
미 상무부는 또 미국 정부의 보조금을 받는 기업에 대해 상무부나 재무부 등의 블랙리스트에 있는 화웨이, YMTC 등 중국 우려 기업과의 공동 연구를 하거나 기술 라이선싱을 금지했다.
국기연 글로벌이코노믹 워싱턴 특파원 kuk@g-enews.com
