암호화폐 전문매체 비트코인 매거진은 29일(현지시간) 이번 주 삼성전자가 비트코인을 채굴하는 데 가장 효율적인 기계인 주문형 집적회로(ASIC)용 3나노미터(3nm) 칩 시험 생산에 들어간다고 보도했다
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다.
비트코인 매거진이 전한 보고서에 따르면 삼성전자가 양산에 돌입할 GAA 기반 3나노 공정 반도체 첫 고객은 중국 비트코인 채굴용 반도체(ASIC) 팹리스 업체로 알려졌다.
삼성의 최대 고객인 퀄컴도 새로운 제조 공정을 이용하기 위해 예약했다. 소식통에 따르면 퀄컴은 언제든지 참여할 수 있지만 약속하지는 않았다고 한다.
앞서 퀄컴은 4나노 칩을 주문했으나 지난 2월 삼성의 생산량 부족으로 취소됐다. 이로 인해 퀄컴은 또 다른 회사인 대만 반도체 제조사인 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)에 기대게 되었다.
삼성의 최신 제품은 이름에서 알 수 있듯이 네 면에 게이트가 있는 게이트올어라운드(Gate-All-Aound)라고 불린다.
지금까지 가장 상업적으로 성공한 공정은 4개 대신 3개 표면만 활용한 핀펫(FinFET)이다.
이 업그레이드를 통해 게이트가 더 좁아지고 전류를 보다 정밀하게 제어할 수 있다고 한다.
보고서에 따르면 시험 생산이 성공하면 면적이 45% 감소하고 효율성이 30% 증가한다.
또한, 테크 모니터(Tech Monitor)는 TSMC의 3나노 공정이 반도체의 크기를 줄여 전력 소비량을 최대 30% 줄이고 속도를 최대 15% 증가시키는 동시에 트랜지스터 밀도를 33% 향상시켜 하드웨어를 더욱 강력하게 만들 것이라고 보고했다.
비트코인 매거진은 비록 이 보고서가 지난해 나온 것이지만, 이러한 발전이 기술에 미칠 수 있는 영향을 이해하는 것은 여전히 가치가 있다고 덧붙였다.
김성은 글로벌이코노믹 기자
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