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삼성전자, 세계 최초 ‘3세대 10나노급 D램’ 개발 성공

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삼성전자, 세계 최초 ‘3세대 10나노급 D램’ 개발 성공

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삼성전자 3세대 10나노급 D램
[글로벌이코노믹 민철 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램 개발에 성공했다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만에 개발한 것으로 역대 최고 '미세공정' 한계를 극복했다는 평가다.

삼성전자는 21일 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 밝혔다.
3세대 10나노급 D램은 극자외선(EUV) 노광 장비를 사용하지 않고도 2세대 D램보다 생산성이 20% 향상되고 속도 증가에 따른 전력효율도 개선됐다고 회사 측은 설명했다.

회사 관계자는 "3세대 10나노 D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 마쳐 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대할 수 있을 것"이라고 말했다.

삼성전자는 이르면 오는 3분기부터 3세대 10나노급 D램을 본격 양산할 방침이다. 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램 'DDR5'와 'LPDDR5' 등을 본격적으로 공급할 계획이다. 'DDR'(Double Data Rate)은 D램의 동작속도로 규정하는 반도체 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1부터 DDR5까지 구분되며 숫자가 높을수록 데이터 처리 속도가 기존 대비 2배 빨라진다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여할 것”이라고 말했다.


민철 기자 minc0716@g-enews.com