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[영상뉴스] 中 ‘반도체 굴기’ 대공세 시작됐다…삼성·SK하이닉스의 대응은?

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[영상뉴스] 中 ‘반도체 굴기’ 대공세 시작됐다…삼성·SK하이닉스의 대응은?

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중국정부가 야심차게 추진해 온 이른바 ‘반도체 굴기’ 노력의 성과가 D램 및 낸드플래시 내년초 양산으로 가시화되고 있다.
중국 반도체 굴기는 지난 2014년 중국 정부가 이른바 ‘빅펀드(Big Fund)’ 조성을 발표하면서 시작돼 내년부터 성과를 내기 시작한 것으로 풀이된다.

중국은 세계 최고 반도체업체인 삼성전자와 SK하이닉스의 D램·3D낸드플래시 및 파운드리사업까지 바싹 추격하고 있다. 올해 하반기 D램 가격의 급격한 하락과 함께 내년도 수익성 악화가 불가피하다는 전망 속에 중국의 신생 도전자들을 맞게 된다는 의미이기도 하다.

최근 시장조사업체 IC인사이츠가 D램 시장과 관련, 2017년 77%, 2018년 39%의 고속 성장을 했지만 내년에는 1% 역성장할 것으로 예상하기도 했다.

중국 칭화유니그룹 소유의 양쯔메모리(YMTC)가 3D낸드플래시 메모리를, 푸젠진화IC와 이노트론메모리가 D램을 양산할 신규 진입자로 꼽힌다. 상하이 소재 SMI가 내년 중 반도체 파운드리(위탁생산) 사업을 시작하는가 하면 광둥성 주해(珠海)시는 폭스콘과 손잡고 새로운 공장 건설을 준비 중인 것으로 알려졌다.

이미 칭화유니그룹 소유의 양쯔메모리(YMTC)는 지난 7월부터 32층 3D낸드플래시 웨이퍼를 월 5000장씩 생산하고 있다. 푸젠성 진장시 소재 푸젠진화IC는 오는 2020년까지 월 10만장의 웨이퍼를 생산해서 최종적으로 3개 팹에서 월 35만~40만장의 웨이퍼를 생산하게 된다.

또 다른 시장진입자 이노트론도 중국 동부 허페이에 72억 달러 규모의 시설을 건설 중이며 19나노미터 8Gb LPDDR4 D램을 시험 생산했다. 이르면 내년 상반기에, 늦어도 내년 중 D램 양산에 들어갈 것으로 예상된다.
파운드리사업에서도 중국의 공세가 시작됐다. 상하이 소재 SMI는 총 100억 달러(10조1300억원)가 투자된 파운드리 공장을 완공해 내년 중 반도체 파운드리(위탁생산) 사업을 시작한다. 이어 광둥성 주해(珠海)시가 90억 달러(약 9조7000억원)를 대부분 투자하는 방식으로 폭스콘과 자회사 샤프를 끌어들여 2020년 중 파운드리 공장을 건설한다.

올해 100억 달러 규모의 매출을 올린 삼성전자 파운드리 사업부는 물론 지난해 SK하이닉스 파운드리사업부를 분사해 올해 3분기에 4000억여원 규모의 매출에 500억원대의 순익을 기록한 SK하이닉스시스템IC에게도 또다른 경쟁사가 등장한 셈이다.

메모리 반도체 시장 상황이 악화될 것으로 예상되면서 올해 삼성전자 글로벌 전략회의에서 DS부문 회의는 D램 가격하락에 따른 실적방어와 함께 메모리 외에 파운드리(반도체 위탁생산) 부문 및 시스템 반도체 경쟁력 강화에 대한 논의가 주를 이룬 것으로 알려지고 있다.

업계 관계자는 “삼성전자는 권오현 삼성전자 부회장이 내세우는 기술의 ‘초격차(超隔差)’를 통해 중국의 반도체 굴기 공세를 막아내는 데 전력하게 될 것”이라고 전망했다.


취재=이재구 기자